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Las capacidades masivas y el rendimiento específico de la SSD Micron 6500 ION parecen hacer empequeñecer a la competencia 

La 6500 ION ofrece una inmensa capacidad y un rendimiento optimizado sin comprometer la capacidad de respuesta. Este ebook presenta resultados de pruebas obtenidos en el mundo real para resaltar esos datos de rendimiento en acción. Utiliza las cargas de trabajo del estándar Yahoo!® Cloud Serving Benchmark (YCSB) para comparar la SSD Micron 6500 ION (una SSD TLC) y la Solidigm D5-P5316 (una SSD centrada en la capacidad, QLC). Las dos SSD que se probaron tenían una capacidad de 30,72 TB. 

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Rendimiento TLC a precios QLC

¿Cómo se compara una SSD TLC con una SSD QLC? Sencillo. Los avances de Micron en la tecnología NAND (con más de 200 capas) permiten ofrecer la SSD Micron® 6500 ION NVMe a un precio comparable al de la Solidigm D5-P5316. Cuando el coste es similar, las características y los resultados se convierten en decisivos a la hora de elegir.

SSD Micron 6500 ION frontal

SSD Micron® 6500 ION
NVMe

Ventajas principales

  • 2,3 veces más de rendimiento en cargas de trabajo mixtas reales para los centros de datos1
  • 3,2 veces mejor latencia de lectura 6x9, líder en el sector2
  • Capacidades desde 6,4 TB hasta el máximo en su clase, 30,72 TB3

Indicada para

  • Optimizada para redes de entrega de contenidos y almacenamiento en la nube, unos ámbitos en donde se requieren constantemente SSD más grandes y más rápidas
  • Las aplicaciones van desde el uso compartido de archivos y la colaboración hasta el alojamiento de aplicaciones, el archivado de datos o la entrega de contenidos
  • Allí donde se cruzan valor añadido, rendimiento y capacidad, la Micron 6500 ION destaca por sí sola 

Características

  • Protección contra pérdidas de alimentación 
  • Protección de trayectoria de datos empresariales 
  • TCG Opal v2.01 
  • FIPS 140-3 L2 
  • Conformidad TAA 
  • NVMe 2.0 
  • NVMe Management Interface (NVMe-MI™) sobre SMBus 
  • Estados de energía de NVMe 
  • Firmware activado sin reinicio 
  • Descarga de firmware seguro 
  • Raíz de confianza para hardware, firmware de firma segura 
  • Tecnología de autoverificación e informes (SMART) 
  • Garantía limitada de 5 años4

Especificaciones

  • Gran capacidad de 30 TB en un factor de forma U.2/U.31
  • Hasta 6,8 GB/s y 1 millón de IOPS1
  • 25 veces mejor escrituras aleatorias de 4 KB (IOPS)2
  • 10 veces mayor resistencia de escritura aleatoria de 4 KB 2 
  • 56 % mejor eficiencia energética2
  • Amplias características de seguridad como FIPS 140-3, TCG-Opal y conformidad TAA
  • Basada en la NAND de 232 capas de Micron, líder mundial3

Descripción general del producto

Crear la arquitectura de nube perfecta o la red de entrega de contenidos ha venido siendo tradicionalmente un ejercicio de equilibrio en el que los equipos de TI se ven forzados a sacrificar el rendimiento del almacenamiento en la nube por la capacidad o pagar por unas velocidades y una resistencia que quizás nunca se usarán. La SSD de alta capacidad y 30,72 TB1 Micron ® 6500 ION NVMe soluciona estos retos, ofreciendo un rendimiento TLC a precios de QLC, y todo ello ofreciendo hasta 25 veces más IOPS de escritura aleatoria de 4 KB, hasta un 54 % mejor calidad de servicio de lectura y hasta un 56 % mejor eficiencia energética que la competencia2. Las capacidades masivas y el rendimiento específico de la Micron 6500 ION parecen hacer empequeñecer a la competencia.

SSD Micron 6500 ION en ángulo
Servidor de alto rendimiento Micron 6500 ION

Las grandes capacidades hacen que los
retos de almacenamiento en la nube parezcan pequeños

Hace apenas unos años, las SSD de varios terabytes y las implementaciones a nivel de petabytes eran la excepción, no la regla. Hoy en día, los clientes exigen, y las aplicaciones requieren, un nivel cada vez mayor de capacidad de almacenamiento sin sacrificar el rendimiento. La Micron 6500 ION representa un salto adelante en ese sentido al ofrecer una capacidad de 30,72 TB1, lo que maximiza la densidad del servidor a la vez que mantiene un excelente rendimiento PCIe ® Gen4. La SSD Micron 6500 ION ofrece lecturas secuenciales de 6,8 GB/s y 1 millón de IOPS de lectura, ofreciendo a la vez una calidad de servicio de lectura un 53 % mejor que la competencia de QLC2. La Micron 6500 ION también ofrece un rendimiento de escritura sobresaliente, con escrituras aleatorias 25 veces más rápidas que la competencia de QLC2.

Centro de datos

Sostenibilidad en el centro de datos

Al buscar un equilibrio entre un montón de factores a la hora de diseñar un sistema, un arquitecto de almacenamiento debe decidir entre rendimiento, potencia o resistencia, una tarea difícil. Con la Micron 6500 ION, los clientes tienen ahora en sus manos una solución de almacenamiento que ofrece un 20 % menos de potencia activa, un 56 % más de eficiencia energética y hasta 10 veces más de resistencia de escritura aleatoria que la competencia de QLC2. Al combinar una densidad de 30,72 TB1 líder en el sector con un factor de forma U.2/U.3 de 2,5 pulgadas, se trata de una solución que reduce el número de racks, reduciendo significativamente los costes de infraestructura, que es la piedra angular de la sostenibilidad a largo plazo.

Una gama de productos especialmente diseñada

El mundo de las TI está repleto de “líderes del sector”, pero ¿cómo se comparan realmente con Micron? Fuimos los primeros en introducir la NAND3 de 232 capas en nuestra completa cartera de soluciones de almacenamiento: la NAND dentro de nuestra SSD Micron 6500 ION de alta capacidad. Son muchas capas de almacenamiento, pero ¿qué significa eso para sus clientes? Significa un almacenamiento TLC más denso y con mayor eficiencia energética pero a precios de QLC. Asóciese con Micron para ser el primero en ofrecer almacenamiento NVMe ® de alta capacidad a sus clientes, además de una cartera de almacenamiento específica en comparación con la competencia. 

Especificaciones principales

SSD Micron 6500 ION frontal

 U.3 Micron 6500 ION
Hincapié en la capacidad (<1 DWPD)
 Capacidad1 30 720 GB
Secuencial5
(Transferencia secuencial 128K)
Lecturas secuenciales (MB/s) 6800
Escrituras secuenciales (MB/s) 5000
Aleatorio5
(transferencia 4K)
Lecturas aleatorias (KIOPS) 1000
Escrituras aleatorias (KIOPS) 200
Lectura/Escritura 70/30 (KIOPS) 400
Latencia 6
LECTURA (típ., μs) - 70
ESCRITURA (típ., μs) 15
LECTURA (99 %, μs) 80
ESCRITURA (99 %, μs) 65
Resistencia
(total bytes escritos en TB)
4K aleatoria 16 800
128K secuencial 56 000
Atributos básicos
Interfaz PCIe Gen4 1x4 NVMe (1.4)
NAND NAND Micron 3D TLC 232 capas
MTTF 2,5 millones de horas de dispositivo
Características avanzadas  TCG-Opal 2.01, OCP 2.0, conformidad TAA, FIPS 140-3, protección contra pérdida de alimentación (datos en reposo y en vuelo), protección de trayectoria de datos empresariales (usuario y metadatos), Storage Executive y garantía de 5 años

Recursos

  1.  30.72TB capacity is the largest option. User capacity: 1GB = 1000 millones de bytes; la capacidad formateada es inferior
  2. Comparaciones referidas a los valores de la hoja de datos pública de la SSD Solidigm® D5-P5316 QLC de 30,72 TB, a fecha de marzo de 2023
  3. Información adicional disponible aquí: www.micron.com/232 
  4. Garantía válida durante 5 años a partir de la fecha original de compra o antes de la escritura del total de bytes escritos (TBW, por sus siglas en inglés) máximo, tal como se publica en la ficha del producto y según se evalúa en los datos SMART del producto, lo que se produzca primero.
  5. Rendimiento medido en las siguientes condiciones: Estado estable según la Especificación de prueba de rendimiento de almacenamiento de estado sólido de SNIA Enterprise v1.1; caché de escritura de la unidad habilitada; estado de alimentación NVMe 0; cargas de trabajo secuenciales medidas con FIO con un tamaño de 128K IO y una profundidad de cola de 32; cargas de trabajo de lectura aleatoria medidas con FIO con un tamaño de 4K IO y una profundidad de cola de 256; cargas de trabajo de escritura aleatoria medidas con FIO con un tamaño de 4K IO y una profundidad de cola de 128.
  6. Latency values measured with random workloads using FIO, 4KB transfers, queue depth = 1; Typical latency = mediana, percentil 50

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